本技術研發(fā)的目的在於提供一種適用於高溫高壓流化床粉體反反應的幹法(fǎ)除塵器,以解決實際生產過程中遇到的除塵效果不(bú)好、操(cāo)作困難和除塵設備成本高的技術問題(tí),在三氯氫矽、多晶矽冷氫化以(yǐ)及有機矽合(hé)成製備的工藝中廣泛的應用。...
本技術研發要解(jiě)決的技術問題是(shì)克服(fú)現有的(de)缺陷,提(tí)供(gòng)一種反應尾氣中氯氣的無害化處理裝置,多次的淨化(huà)工序提高了尾氣中氯氣的(de)吸收效率,自動化程度(dù)較高,控製精準且操作簡便,實現了(le)反應尾氣中氯氣無害化(huà)處理過程(chéng)的連(lián)續運行,實現對循環使用的氫(qīng)氧化鈉(nà)溶液(yè)進行...
本技術研發要解決的技術問題是克服現有的缺陷,提供一種高純碘化鉛類金屬鹵(lǔ)化物生產裝置,實現鈣(gài)鈦礦用(yòng)高純碘(diǎn)化鉛類金屬鹵化物的工(gōng)業化製備(bèi),自動化程度(dù)較高,可為高純碘(diǎn)化鉛類金(jīn)屬(shǔ)鹵化物節(jiē)約人工成(chéng)本(běn),通過降溫重結晶(jīng)的(de)方法製備的產品純度(dù)較高,提高高純碘化...
CMP (ChemicalMechanicalPolishing)化學機械拋光是一個化學腐(fǔ)蝕(shí)和機械摩擦的結合。是目前較為普遍的半導體材料表麵平整技(jì)術,兼收了機(jī)械(xiè)摩擦和化(huà)學腐蝕(shí)的優點,從而避免了由單純機械拋光造成的表麵損傷和由單純(chún)化學拋光易造...