1 項目背景
在中美貿易戰摩擦加劇的背景（jǐng）下，對於半導體材料自主控製權的爭奪已經愈（yù）演愈烈。尤其是近幾（jǐ） 年（nián）我國新建產能成為全球晶圓廠的主要增量，但是製約半導體產業做強的上遊關鍵原材料和生產設備 仍然幾乎被美國和日本的公（gōng）司（sī）所壟斷，如今西方多家對中國科技尤其是芯片產業的進一步封鎖，對（duì）於 我國半導體行業發展的打擊幾乎是一劍封喉，因此半導體材料國產化戰略（luè）地（dì）位凸顯，在材料領域進口（kǒu） 替代進程加速（sù）是大勢所趨。
2 產品說明（míng）
CMP (ChemicalMechanicalPolishing)化學機械拋光是一（yī）個化（huà）學腐（fǔ）蝕和機械（xiè）摩（mó）擦（cā）的結合。是目（mù）前最 為（wéi）普（pǔ）遍的半（bàn）導體材料（liào）表麵平整技術（shù），兼收（shōu）了機械（xiè）摩擦和化學腐蝕的優點，從而避（bì）免了由單純機械拋光 造成的表麵損傷和由單純化（huà）學拋光易造成的拋光速度慢、表麵平整度和拋光一（yī）致性差等缺點。可（kě）以獲 得比（bǐ）較（jiào）完美的晶片表麵。
國際上普（pǔ）遍認為，器件特征（zhēng）尺寸在0.35μm以下時，必（bì）須進行全局平（píng）麵化以保證光刻（kè）影像傳遞的精 確度和分辨率，而（ér）CMP是目前幾乎唯一的可以提供全局平麵化的技術。其設備作用（yòng）原理圖如下：
研磨液：研磨（mó）時添加的（de）液體狀物質，顆粒大小跟研磨後的刮傷等缺陷有關，顆粒越大對（duì）晶片的損 傷越大，顆粒越小越好（hǎo）。基本形式是由納米粉體拋光劑和一個堿性組分水溶液組（zǔ）成，顆粒的大小（xiǎo）1-
100nm，濃度1.5%-50%，堿性組成一般是KOH，氨或有機胺，pH為9.5-11。
由於氣相二氧化矽的高純度、可控製的原始納米粒徑和粒（lì）徑分（fèn）布（bù）等，使得氣相sio2成為氧化物拋 光研磨液中的主要磨料。
3 項目原（yuán）料：
金屬矽粉、鹽酸、氫氣。 年產1000噸納米氣相鈦白粉項目 年產20000噸特種紙專用輕質碳酸（suān）鈣項 目年產1000噸（dūn）BIPB（無味DCP）項目（mù） 持續研發
4、項目配套：
化工產業（yè）園區、蒸汽、電力、工業水（shuǐ）。
5、技術優勢
專利：一種（zhǒng）氣相法生產二（èr）氧化矽及金屬氧化物的（de）設（shè）備
專利：一種生產高純三（sān）氯氫矽和四氯（lǜ）化（huà）矽的裝置及工藝
6、項目總投資1.5億元。
7、項目占地：30畝
8、經（jīng）濟效益
